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砷化镓晶片

产品编号:JAH-GaAs Wafer

产品产地:

产品描述:砷化镓晶片,砷化镓衬底

产品介绍

本公司生产销售2寸、3寸、4寸、6寸砷化镓单晶衬底,产品规格可定制。

晶片规格有N型(掺硅Si)、P型(掺锌Zn)和非掺杂。

产品简介

    砷化镓(gallium arsenide),化学式GaAs,属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,由砷和镓两种元素化合而成,外观呈亮灰色,具金属光泽、性脆而硬,是当代国际公认的继"硅(Silicon)"之后最成熟的化合物半导体材料,具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性,是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。

    在光电子工业领域应用层面,砷化镓单晶可被用于制作LD(激光器)、LED(发光二极管)、光电集成电路(OEIC)、光伏器件等;
    在微电子工业领域应用层面,可被用于制作MESFET(金属半导体场效应管)、HEMT(高电子迁移率晶体管)、HBT(异质结双极晶体管)、IC、微波二极管、Hall器件等。

    主要涉及高端军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料,GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍,用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗,因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。

2019年马会全年资料  产品规格说明  

晶体材料

Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高纯单晶

晶向

(1 0 0) / (1 1 1)

掺杂

Undoped

 Zn

Si / Te

直径

50~150mm ± 0.25mm2"、 3"、 4"、6"

厚度

350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um

晶向

100 )or(111) α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request

电阻率

(1-30)x10 7 Ω.cm

(1-10)x10 -3 Ω.cm

迁移率

1500~3000       3000~5000 cm2 / V·sec

N / A

掺杂浓度

N / A

(0.1-3.0)×10 18 /cm3

腐蚀缺陷密度

≤ 5·103 cm-2

 ≤ 7·10 4cm-2

≤ 5·102 cm-2

主定位边

(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm

次定位边

(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm

正面

Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生长级抛光

反面

Polished / Lapping or Etched, 抛光 / 研磨或腐蚀

Epi-ready

Yes

 

 

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